Nanosensors布鲁克原子力大长径比探针AR5 AR10

Nanosensors大长径比探针AR5 AR10

对于具有高纵横比特征和侧壁角度接近90°的样品的测量，如半导体器件技术中的沟槽和接触孔，NANOSENSORS?设计了高纵横比***AR5，AR5T，AR10和AR10T，显示近垂直***侧壁。

所有型号均基于NANOSENSORS PointProbe Plus技术。针尖的总高度为10 - 15μm，可以对高瓦楞样品进行测量。在***几微米处，***呈现径向对称的高纵横比部分。***半径通常为10nm（***至少15纳米）。 n

AR10的特征

AR10***的高纵横比部分长于1.5μm并且在1.5μm的***高度处显示出优于10：1（通常为12：1）的纵横比。这对应于***高度为1.5μm且***半锥角小于2.8°时的***直径小于150nm。

AR5的特征

AR5***的高纵横比部分长于2μm并且在2.0μm的***高度处显示出优于5：1（通常为7：1）的纵横比。这对应于***高度为2μm且***半锥角小于5°时的***直径小于400nm。

倾斜补偿高纵横比硅探头

为了补偿由原子力显微镜头安装（通常为13°）引起的倾斜角，我们将AR5和AR10针尖分别作为倾斜校正的AR5T和AR10T版本（***的高纵横比部分倾斜13°至***的中心轴）。作为倾斜校正的结果，***的高纵横比部分将完全垂直于样品表面，并且能够测量深度和最窄的特征以及附近垂直侧壁并将证明对称的成像。 n

AR10T的特征

AR10T***的高纵横比部分长于1.5μm并且在1.5μm的***高度处显示出优于10：1（通常为12：1）的纵横比。这对应于***高度为1.5μm且***半锥角小于2.8°时的***直径小于150nm。***的高纵横比部分倾斜13±1°，相对于***的中心轴。可根据要求提供其他倾斜角度。 n

AR5T的特征

AR5T***的高纵横比部分长于2μm并且在2.0μm的***高度处显示出优于5：1（通常为7：1）的纵横比。这对应于***高度为2μm且***半锥角小于5°时的***直径小于400nm。该

***的高纵横比部分相对于***的中心轴倾斜13±1°。

可以计算在所需高度处的高纵横比部分的直径，包括如下的***半径：

与顶点直径的距离<+ 2x***半径纵横比系数。

纵横比因子考虑了有限的***半径。对于AR10，纵横比因子为12.5，对于AR5探针，纵横比因子为5.4。示例：在要求的600 nm高度，AR10的直径小于78 nm。 n

支持芯片

悬臂固定在硅支撑芯片上（可在?PointProbePlus传单中的SPM探头组件示意图中看到）。作为探头的组成部分的支撑芯片设计用于操纵探针并将其固定到SPM。支撑芯片的几何尺寸非常可重复，可实现

更换探头而无需重新调整激光器。通过支撑芯片背面的对准槽与我们的对准芯片相结合，进一步改善了这一点。如果它们中的任何一个倾斜，则支撑芯片的倒角边缘避免芯片和样品之间的接触。 n

悬臂

悬臂的横截面是梯形的，这提供了几个优点。悬臂的探测器侧相当宽。这使得能够容易地调整光学系统。然而，决定弹簧常数的悬臂的平均宽度要小得多。***侧的小悬臂宽度减小了悬臂的阻尼，这对于动态（非接触轻敲模式）模式下的操作是重要的。 n

材料特征

TM NANOSENSORS高纵横比SPM探针由高掺杂的单晶硅制成，具有独特的功能。硅是众所周知的半导体技术材料。