但管自激
如果要进行移相控制，即控制整流输出电压U 的大小，调节电阻R。即可。当R，增大时，电容C上的电压上升到峰点电压的时间延长，则***个脉冲出现的时刻后移，即控制角a增大，整流电路的输出电压Ud减小。相反，当R。减小时，则控制角a减小，输出电压U4增大。为了简化电路，单结晶体管输出的脉冲要同时触发晶闸管VT、VT,因为只有阳极电压为正的晶闸管才能被触发导通，所以能***半控桥式整流的两个晶闸管轮流导
通。为了扩大移相范围，要求同步电压梯形波uv的两腰边要接近垂直，这里可采用提高同步变压器二次电压U2的方法，电压U2通常要大于60V。
从以上分析可以看出:单结晶体管触发电路的优点是电路结构简单、使用元器件少、体积小、脉冲前沿陡、峰值大；缺点是只能产生窄脉冲，对于大电感负载，由于晶闸管在触发导通时阳极电流上升较慢，在阳极电流还没有上升到擎住电流IL时，脉冲就已经消失，使晶闸管在触发导通后又重新关断，所以，单结晶体管触发电路多用于50A以下的晶闸管装置及非大电感负载的电路中。
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电路中的有关实际电压、电流波形如图3-40所示。其中功率开关管关断时的电压尖峰
是变压器漏感释放储能造成的;功率开关管开通时的电流尖峰是整流二极管反向恢复时间内
在变压器次级形成短路电流而造成的;up波形顶部略倾斜，主要是受耦合电容C压降的
影响。
对功率开关管的耐压要求较低，比推挽式变换器低一半
全桥变换器的缺点
a，要用四个功率开关管,
b、需要四组彼此绝缘的栅极驱动电路，驱动电路复杂，
全桥式直流变换器适宜在输人电
源电压高、要求输出功率大的情况下
应用
(3)半桥式直流变换器
工作原理。半桥(half-brid
式直流变换器，简称半桥变换器
路图如图3-41所示。四个桥臂中
桥臂采用特性相同的功率开关管
VT2，故称为半桥。另外两个桥
电容量和耐压都相同的电容器
C2，它们起分压等作用，其电容
当VT和VT2尚未开始工作时，电容C，和C2被充电，它们的端电压均等于电源电压的一半，即
Uc=Ucz=U1/2
VT，和VT,受栅极驱动脉冲电压的控制而轮换导通，驱动脉冲应有死区，每个功率开
关管的导通时间小于0.5周期。理想情况下电感电流连续模式的波形图如图3-42所示
lon期间，VT，受控导通，VTz截止。电流回路为U1+)VT1N,C2→Un-);C1(+)→VT→N,一C1(-)。这时C」放电，C2充电;Uc逐渐下降，Ucz逐渐上升，保持Uc +Uc2=U1。C两端电压Uc1经VT，加到高频变压器下的初级绕组Np上，忽略VT，压降，变压器初级电压为
u,=Uc~U1/2
其极性是上端正下端负。VT2的D、S极间电压ups2=U1.
t on2期间，VT2受控导通，VT，截止。电流回路为Ux(+)→C1→N,-VT2→U1(-);C2(+)→Np+VT2→C2(-)。
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上白受侧电升冲的
(4)锯齿波同步触发电路
图2-22为锯齿波同步触发电路，该触发电路分为三个基本环节:脉冲形成与放大、锯齿波形成与脉冲移相以及同步电压环节。此外，锯齿波同步触发电路中还有强触发和双窄脉冲形成环节，下面分别进行分析。
组了电
1脉冲形成与放大环节。脉冲形成环节由晶体管VT4、VT5组成(将晶体管VT，的发射极直接接15V,暂不考虑VT6),晶体管VT，和VT:组成脉冲功率放大环节。控制电压1和负偏移电压u，分别经过电阻R6、R7、R8并联接入VT4基极。在分析该环节时，暂不考虑锯齿波电压ue3和负偏移电压u，对电路的影响即:设1R3-0,u=0。
当控制电压u=0时，VT4截止，十15V电源通过电阻R11供给VT5一个足够大的基极电流，使VT5饱和导通，VT5 的集电极电压u5接近一15V (忽略VT6、vT,的饱和压降)，所以 vT7、VT8截止，无脉冲输出。同时，+15V电源经R。
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此时C2放电，C，充电;Ucz逐渐下降，Uc逐渐上升，保持Uc +Ucz=U.C2两端电压 Ucz经VT2加到N，上，忽略VT2的降，变压器初级电压为
"p--Uc2*-U\ /2
其极性是下端正上端负。VT的D、S极间电压upsr-U1.
由于C或C:在放电过程中端电压逐渐下降，因此。波形的顶部略呈倾斜状。当电对称时，Ua与Uc』的平均值为Ur/2.
当VT,和VT:都截止时，只要变压器初级磁化电流值小于负载电流分量，则u。&Ds1=ups=U/2,
Im:"Io-ton，在变压器初级绕组上形成正负半周对称的方波脉冲电压。次级N,=Ns=N,，每个次级绕组的电压为
水级绕组电压经VD:,VD,整流后得ua，如果忽略整流二极管的正向压降，在t。利。期间，ug=Ux/2n，其余时间ug=0.
变压器次级输出回路的工作情形，除u。的幅值变为Ur/2n外，同推挽式以及全桥式直
半桥变换器自身具有一定的抗不平衡的能力。例如，若VT」和VT2的存储时间t,不同，tg>t。而使VT,比VT2的导通时间长，则电容C，的放电时间比C2的放电时间长，C，放电时两端的平均电压将比Cz放电时两端的平均电压低。因此，在VT1导通的正半周，
幅值较高而持续时间较短。这样可使u,正负半周的“伏秒”积相等而不产生单向偏磁现象。
