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DL0521P0L微型静电防护器件ESD TVS低容二极管
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DL0521P0L瞬变二极管 ESD静电保护二极管 DL0521P0L保护二极管 DFN1006封装器件 DL0521P0L瞬变二极管

DL0521P0L微型静电防护器件ESD TVS低容二极管

微型静电防护器件ESDTVS低容二极管响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制 展开

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    更新时间 : 2024-06-04
    产品特性TVS品牌D-FIRST
    型号DL0521P0L封装DFN1006
    批号23极性双
    通道数量1击穿电压(Vbr)6V
    工作电压5钳位电压(Vc)12.5V
    峰值脉冲电流(Ipp)8峰值脉冲功率(Ppp)200
    二极管电容(Cd)0.25pF最大耗散功率1mW
    工作温度范围-45-125应用领域3C数码
    展开

    DL0521P0L微型静电防护器件ESD TVS低容二极管

     

    订货型号

    DL0521P0L

    品牌

    常州鼎先电子有限公司

    产品线

    Ultra Low Capacitance B-directional TVS Diode

    ESD TVS低容二极管

    型号系列

    DL0521P0L

    品类

    二极管

    描述/说明

    1-Line Bi-directional TVS Diode,VRWM:5V,VBR:6V,Cj Max:0.25pF,IPP@8/20us:8A,Vc@Max IPP:12.5V,PPP:100W

    封装/外壳/尺寸

    DFN0603-2

    包装形式

    盘装 

    生命周期

    量产中(ACTIVE)

    最小包装量

    10000/Tape & Reel

    VRWM(V)

    5

    VBR(V)

    6

    Cj Max（pF)

    0.25

    IPP@8/20us(A)

    8

    Vc@Max IPP(V)

    12.5

    PPP(W)

    100

    针对智能手机Type-C接口静电防护电路设计，DL0521P0L，采用硅工艺制造，工作电压5V，峰值脉冲功率100W，反向漏电流0.2μA，ESD防护等级满足IEC61000-4-2标准±20kV（接触放电）/±25kV（空气放电），以下是DL0521P0L的主要电气参数：

    DL0521P0L采用半导体硅工艺设计，根据IEC61000-4-2，它可用于提供±20kV（接触放电）/±25kV（空气放电）的ESD保护，使手机Type-C接口芯片免受静电损伤，提高产品可靠性。

    2、由于Type-C接口可以支持USB 2.0、3.0、3.1 Gen1或者3.1 Gen2等多种标准，数据传输速***，因此要求ESD器件结电容尽量低，否则会影响信号传输质量，DL0521P0L的结电容低至0.25pF，可以***高速信号传输完整性。

    3、手机内部空间有限，要求器件体积尽量小，DL0521P0L的封装尺寸是0.6*0.3*0.3mm，节省PCB占用面积，增加电路设计灵活性.



    供应商信息
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    一言九鼎，顾客为先！　　 　　常州鼎先电子有限公司是一家专注于瞬态电压抑制器和功率器件设计、制造和销售的半导体技术公司。 　我司的瞬态电压抑制器系列产品在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上达到行业同等水平。我们可以在短时间内提供出质量可靠的电路保护系列产品，并通过与周边晶圆和封装制造的紧密合作来加快产品研发和投产速度， 短时间将具有竞争力的产品推向市场。 　　公司拥有设计经验丰富的研发工程师可以为客户提供全套的电路保护方案及测试验证和整改服务。符合行业标准建设的EMS实验室和可靠性实验室，促进客户方案设计，缩短客户产品研发周期。在电信、电能设备等行业我们有丰富的EMC测试及解决方案。 　　我们不仅提供合格的产品，更提供良好的服务。如此一来才使我们鼎先能在激烈竞争的半导体领域中不断进步。让我们微小的器件成为你品质的一块拼图，合作共羸，共创美好未来。 　　主营范围： ESD保护器件（包括瞬态电压浪涌抑制器（TVS）、箝位二极管和阵列ESD Array以及TVS Diode）着重实现： 符合IEC 61000-4-2规范的要求 利用低箝位电压保护效率 利用低泄漏电流保护可靠性 利用低电容和高速带宽信号完整性。 提供标准封装和***封装选项（包括单/多线、小型、扁平和流通封装），从而优化了空间约束。 可提供OEM服务，以下产品封装都有备货：SOD-323 SOD-523 SOT-23L SOT-143,SOT23-6L，SLP2510P8,DFN1006,SO-8，SOD123,DO-214AA/AB/AC等。

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    企业类型 有限责任公司(自然人投资或控股) 统一社会信用代码 91320411776421283K
    成立日期 2005-07-20 法定代表人/负责人 邢思前
    注册资本 1,500万(元) 注册地址 常州市新北区辽河路666号
    营业期限 2005-07-20 至 无固定期限 登记机关 常州国家高新技术产业开发区(新北区)行政审批局
    经营范围 半导体器件、集成电路，电子元件的研发，技术咨询，技术服务，销售；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
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    地址江苏 常州 钟楼区 西林街道西林路华林家园三期 49 栋
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