| 产品特性IBS | 品牌法国IBS |
| 型号IMC210 | 产品别名离子注入机 |
| 用途离子注入与常规热掺杂工艺 | 适用行业半导体 |
| 产品用途离子注入与常规热掺杂工艺 |
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| 产品特性IBS | 品牌法国IBS |
| 型号IMC210 | 产品别名离子注入机 |
| 用途离子注入与常规热掺杂工艺 | 适用行业半导体 |
| 产品用途离子注入与常规热掺杂工艺 |
法国IBS IMC210中束流离子注入机
离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行***的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和***控制等要求，已成为集成电路制造工艺中***的关键装备。
特点：
l***控制离子束流
l***控制加速电压
l占地小, 操作简单, 运行成本低
l特别适合于研发应用
l适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）
l4”热注入模式，温度可达600度
| 企业类型 | 有限责任公司(自然人投资或控股) | 统一社会信用代码 | 911101057832377671 |
|---|---|---|---|
| 成立日期 | 2005-11-28 | 法定代表人/负责人 | 彭辉 |
| 注册资本 | 1,000万(元) | 注册地址 | 北京市朝阳区酒仙桥路14号53幢6层616室 |
| 营业期限 | 2005-11-28 至 2055-11-27 | 登记机关 | 北京市朝阳区市场监督管理局 |
| 经营范围 | 技术推广；市场调查；经济贸易咨询；展览服务；组织文化艺术交流活动（不含演出）；货物进出口、技术进出口、代理进出口；销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品（不含危险化学品）。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。） | ||
