品牌ST/意法半导体 | 型号STGD20N40LZ |
批号22+ | 数量15000 |
制造商STMicroelectronics | 产品种类IGBT晶体管 |
RoHS是 | 封装/箱体DPAK-3 |
安装风格SMD/SMT | 配置Single |
集电极—射极饱和电压1.5V | 栅极/发射极最大电压16V |
Pd-功率耗散125W | 最小工作温度-55C |
最大工作温度+175C | 系列STGD20N40LZ |
资格AEC-Q101 | 集电极最大连续电流Ic25A |
栅极—射极漏泄电流625uA |
品牌ST/意法半导体 | 型号STGD20N40LZ |
批号22+ | 数量15000 |
制造商STMicroelectronics | 产品种类IGBT晶体管 |
RoHS是 | 封装/箱体DPAK-3 |
安装风格SMD/SMT | 配置Single |
集电极—射极饱和电压1.5V | 栅极/发射极最大电压16V |
Pd-功率耗散125W | 最小工作温度-55C |
最大工作温度+175C | 系列STGD20N40LZ |
资格AEC-Q101 | 集电极最大连续电流Ic25A |
栅极—射极漏泄电流625uA |
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGD20N40LZ |
批号: | 22+ |
数量: | 15000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | DPAK-3 |
安装风格: | SMD/SMT |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 425 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.5 V |
栅极/发射极电压: | 16 V |
Pd-功率耗散: | 125 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
系列: | STGD20N40LZ |
资格: | AEC-Q101 |
集电极连续电流 Ic: | 25 A |
栅极—射极漏泄电流: | 625 uA |
企业类型 | 有限责任公司(自然人独资) | 统一社会信用代码 | 91440300MA5GFJPK7U |
---|---|---|---|
成立日期 | 2020-11-04 | 法定代表人/负责人 | 张梓源 |
注册资本 | 100万(元) | 注册地址 | 深圳市福田区华强北街道华航社区中航路18号新亚洲国利大厦1109 |
营业期限 | 2020-11-04 至 无固定期限 | 登记机关 | 深圳市市场监督管理局 |
经营范围 | 一般经营项目是:电子元器件、电子产品、集成电路、数码产品及配件、通讯产品及配件、计算机及配件、光电材料的批发及零售;电子产品的研发及销售;国内贸易(不含专营、专卖、专控商品);经营进出口业务。(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是:无 |