品牌VBsemi/微碧半导体 | 型号MMDFS6N303R2G |
类型N沟道 | 漏源电压(Vdss)30V |
连续漏极电流(Id)8.5A | 功率(Pd) |
导通电阻20mΩ@10V,12mΩ@4.5V | 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5Vth(V) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 输入电容(Ciss@Vds) |
反向传输电容(Crss@Vds) | 工作温度 |
封装/规格SOP-8 | 包装编带 |
认证机构 | 最小包装量2500 |
产品特性大功率 | 封装SOP-8 |
包装方式编带 | 数量10000 |
芯片台积电 | 工艺长电封测代工 |
安装方式表面贴片 | 产品保证原装 |
批号23+ | FET类型增强型 |
产地中国 | 可售卖地全国 |