【BMS专用MOSFET, 捷瑞德JRP05N08G TO-220,TOLL8封装,低内阻,大电流】价格

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更新时间 : 2024-05-30

产品特性低内阻SGT	品牌捷瑞德
型号JRP05N08G	封装TO-220
批号202409	FET类型N
漏源电压（Vdss）85V	漏极电流(Id)120A
漏源导通电阻(RDS On)4.4mΩ	栅源电压(Vgs)±20V
栅极电荷(Qg)80nC	反向恢复时间80nS
最大耗散功率173600mW	配置类型SGT
工作温度范围-55℃-150℃	安装类型直插
应用领域***/航天、汽车电子、网络通信、安防设备、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、广电教育、物联网IoT、可穿戴设备、新能源

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BMS专用MOSFET, 捷瑞德JRP05N08G TO-220,TOLL8封装,低内阻,大电流

JRP05N08G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced SGT technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications.

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企业类型	有限责任公司	统一社会信用代码	914403007649571877
成立日期	2004-07-16	法定代表人/负责人	陈云玉
注册资本	100万(元)	注册地址	深圳市南山区创业路北怡海广场商住楼16D
营业期限	2004-07-16 至无固定期限	登记机关	南山局
经营范围	一般经营项目是：电子元器件、电子产品的购销（不含专营、专控、专卖商品）；经济信息咨询（不含限制项目）；经营进出口业务。（以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营），许可经营项目是：

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