产品特性SGT MOSFET | 品牌捷瑞德 |
型号JRP03N08-P | 封装TO-220 TO-263-7 TO-247 |
批号2310 | FET类型N |
漏源电压(Vdss)85V | 漏极电流(Id)230A |
漏源导通电阻(RDS On)2.3 | 栅源电压(Vgs)2,3,4 |
栅极电荷(Qg)138.3nC | 反向恢复时间80nS |
最大耗散功率250000mW | 配置类型SGT MOS |
工作温度范围-55-150 ℃ |
产品特性SGT MOSFET | 品牌捷瑞德 |
型号JRP03N08-P | 封装TO-220 TO-263-7 TO-247 |
批号2310 | FET类型N |
漏源电压(Vdss)85V | 漏极电流(Id)230A |
漏源导通电阻(RDS On)2.3 | 栅源电压(Vgs)2,3,4 |
栅极电荷(Qg)138.3nC | 反向恢复时间80nS |
最大耗散功率250000mW | 配置类型SGT MOS |
工作温度范围-55-150 ℃ |
采用***的SGT 技术,极低的导通和开关损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于 BMS 和高电流开关应用,光伏逆变器,户外储能电源
企业类型 | 有限责任公司 | 统一社会信用代码 | 914403007649571877 |
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成立日期 | 2004-07-16 | 法定代表人/负责人 | 陈云玉 |
注册资本 | 100万(元) | 注册地址 | 深圳市南山区创业路北怡海广场商住楼16D |
营业期限 | 2004-07-16 至 无固定期限 | 登记机关 | 南山局 |
经营范围 | 一般经营项目是:电子元器件、电子产品的购销(不含专营、专控、专卖商品);经济信息咨询(不含限制项目);经营进出口业务。(以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是: |