产品特性MOS管 | 品牌CH(程华) |
型号CH5N50D | 封装 TO-252 |
批号 2023+ | FET类型 场效应晶体管 |
漏源电压(Vdss) 550V | 漏极电流(Id) 5A |
漏源导通电阻(RDS On) 1.35Ω | 栅源电压(Vgs) ±30V |
栅极电荷(Qg) 26nC | 反向恢复时间 220ns |
最大耗散功率 50000(mW)mW | 工作温度范围 150度以内 |
安装类型 贴片 | 应用领域汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子 |
CH5N50D 5A 550V 低内阻 TO-252封装 N沟道贴片MOS管
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