产品特性MOS管 | 品牌CH(程华) |
型号CH5N200D | 封装 TO-252 |
批号2023+ | FET类型 场效应晶体管 |
漏源电压(Vdss) 200V | 漏极电流(Id) 5A |
漏源导通电阻(RDS On)540mΩ | 栅源电压(Vgs) ±30V |
栅极电荷(Qg) 36 | 最大耗散功率 30000(mW)mW |
工作温度范围-55-150℃ | 安装类型 贴片 |
应用领域汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子 |
CH5N200D 5A 200V 低内阻 TO-252封装 N沟道贴片MOS管
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