美国艾利卡特ALICAT低压损气体质量流量控制器 ＭＣＷ系列采用专利技术的内部补偿型层流压差技术，使得大流量范围下气体仍旧保持层流运动。内置的绝压和温度传感器充分补偿因压力和温度引起的体积流量与质量流量间的差异，并对用户标准工况进行修正。具有NIST可溯源校准证书。 

ＭＣＷ系列具有***压损，满量程压损可达360Pa。ＭＣＷ系列可用于快速地测量过程气体的质量流量、体积流量、压力和温度，适用于多种流量测控场合，尤其是要求低压损的应用场合。

精度升级

量程为0.5 SCCM - 1000 SLPM，

其中10 SCCM - 100 SLPM量程段，下述指标升级：

质量流量普通精度      ± 0.75% 读数或± 0.1% 满量程（取值）

质量流量高精度         ± 0.6% 读数或± 0.1% 满量程（取值）

重复性                       ±（0.1%   读数 + 0.02% 满量程）

质量流量零点漂移      ± 0.03% 满量程 / ℃温差

                                  ± 0.01% 满量程 / Atm压力差

质量流量量程漂移      ± 0.01% 读数 / ℃温差

                                  ± 0.1 % 读数 / Atm压力差



PA310带宽为300KHz，而另一台设备的带宽只有5KHz，LED驱动模块的工作原理为开关输出，因此必然会有高频的信号引入，带宽低的设备测试不到高频信号，因此测试结果也就与带宽高的设备相差甚远。为了验证测试结果确实是带宽引起的，我们对PA310进行了线路滤波器的设置，打开了一个5.5KHz的线路滤波器，而后对比两台测试的功率因素，结果两台设备的功率因素确实一致，这也就证明了带宽确实是影响测试结果的重要因素。


LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。