品牌Vishay | 型号SQJ479EP-T1_GE3 |
封装PAK-SO-8-4 | 批号2022+ |
系列SQ | 数量9000 |
制造商Vishay | 产品种类MOSFET |
RoHS是 | 安装风格SMD/SMT |
封装/箱体PowerPAK-SO-8L-4 | 晶体管极性P-Channel |
通道数量1Channel | Vds-漏源极击穿电压80V |
Id-连续漏极电流32A | RdsOn-漏源导通电阻33mOhms |
Vgs-栅极-源极电压10V | Vgsth-栅源极阈值电压1.5V |
Qg-栅极电荷90nC | 最小工作温度-55C |
最大工作温度+175C | Pd-功率耗散68W |
通道模式Enhancement | 资格AEC-Q101 |
配置Single | 晶体管类型1P-Channel |
正向跨导-最小值25S | 下降时间6ns |
上升时间5ns | 典型关闭延迟时间50ns |
典型接通延迟时间15ns | 单位重量506.600mg |