OC5266
60V 高端电流检测降压 LED 恒流驱动器
深圳欧创芯半导体有限公司
O 1 C5266_V1.0
典型应用电路图
概述
OC5266 是内置功率 MOS，同时可支
持外扩驱动 NMOS 的一款连续电感电流
导通模式的降压型 LED 恒流驱动器，用于
驱动一个或多个 LED 灯串。OC5266 工作
电压从 5.5V 到 60V，提供可调的输出电
流，内置 MOS 1.5A 输出，外扩 NMOS
驱动可支持更高的功率范围。
OC5266 内置功率开关，采用高端电
流检测电路，以及兼容 PWM 和模拟调光
的调光脚 DIM。当 DIM 脚电压低于 0.3V
时输出关断，进入待机状态。
OC5266 内置过温保护电路，当芯片
达到过温保护点进入过温保护模式，输出
电流逐渐下降以提高系统可靠性。
OC5266 采用专利的电路架构使得在
低压差工作时输出电流无过冲，提高 LED
工作寿命，OC5266 采用专利的恒流电路
具有优异的负载调整率和线性调整率。
OC5266 采用 ESOP8 封装。
特点
◆提供外部 NMOS 驱动外扩脚
◆高效率：96%
◆优异的负载调整率和线性调整率
◆高端电流检测
◆辉度控制频率：20KHz
◆滞环控制，无需环路补偿
◆工作频率：1MHz
◆电流精度：±3%
◆宽输入电压：5.5V~60V
◆智能过温保护
◆低压差无过冲
应用领域
◆LED 备用灯，信号灯
◆低压 LED 射灯代替卤素灯
◆汽车照明OC5266
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封装及管脚分配
ESOP8
（内置散热片接 VSS）
管脚描述
管脚序号 管脚名称 管脚类型 描述
1 CS 输入 电流检测端
2 VIN 电源 电源电压
3 SW 输入/输出 内置 NMOS 管漏极
4 DRV 输出 外扩 NMOS 驱动脚
5 NC - 悬空不接
6，7 VSS 地 芯片地
8 DIM 输入 辉度控制端
PAD 地 底部散热焊盘接电源地OC5266
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内部电路方框图
极限参数（注 1）
参数 符 号 描述 最小值 值 单位
电压
VMAX1 IC 各端电压值
（除 DIM） 65 V
VMAX2 DIM 引脚电压值 6 V
电流 IMAX SW 脚电流 1.5 A
功耗 PDMAX 功耗 1.5 W
热阻 PTR ESOP8 封装θJA 40 oC/W
温度
TJ 工作结温范围 -40 150 oC
TSTG 存储温度范围 -55 150 oC
TSD 焊接温度（时间少于 30s） 230 240 oC
ESD VHBM HBM 2000 V
注 1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器
件的可靠性。OC5266
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电特性
除非特别说明，VIN =12V，TA =25
o
C
参数 符号 测试条件 最小值 典型值 值 单位
电源电压
输入电压 VIN 5.5 60 V
欠压保护电压 VUVLO VIN =VCS，VDIM =VCC，
VIN 电压从 0V 上升 5.1 V
欠压保护滞回 VHYS 0.4 V
电源待机电流 IST 320 uA
开关频率
开关频率 FSW_MAX 1 MHz
电流检测比较器
CS 端电压 VCS VIN-VCS 192 200 208 mV
检测电压高值 VCSH
（VIN -VCS）从 0.1V 上升，
直至 DRV 输出低电平 240 mV
检测电压低值 VCSL
（VIN -VCS）从 0.3V 下降，
直至 DRV 输出高电平 160 mV
CS 管脚输入电流 ICS 10 uA
辉度控制
调光频率 FDIM 20 KHz
DIM 脚悬空电压 VDIM DIM 悬空 5 V
DIM 输入高电平 VIH 2.5 V
DIM 输入低电平 VIL 0.3 V
模拟调光范围 VDIM_DC 0.5 2.5 V
DIM 上拉电阻 RDIM 500 kΩOC5266
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内置 MOS
MOS 导通电阻 RDSON VIN=6v~60v 300 mΩ
DRV 驱动
DRV 上升时间 TRISE DRV 脚接 500pF 电容 50 ns
DRV 下降时间 TFALL DRV 脚接 500pF 电容 50 ns
最小导通时间 TON_MIN 250 ns
过温保护
过温调节 OTP_TH 150 oC
典型应用测试特性曲线(内置 MOS 测试图表)
恒流特性曲线 (3 串 LED) 负载和母线调整率
效率特性曲线 DIM 线性调光特性曲线OC5266
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DIM 脚 PWM 调光特性曲线 SW 脚与电感电流工作波形
D=1% PWM 调光波形 D=50% PWM 调光波形OC5266
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应用指南
工作原理
OC5266 是一款内置 60V 功率开关(可支持 1.5A 输出)的高端电流检测降压型高精度
高亮度 LED 恒流驱动控制器。系统通过一个外接电阻设定输出电流，输出驱动能力可通过 D
RV 驱动 NMOS 进行外扩；电流检测精度高达±3%；外围仅需很少的元件。
系统上电后，定义差值：
IN CS ?v ?V ?V (1)
通过典型应用可以看到，负载 LED 上的电流与电感 L 电流以及电阻 RCS上的电流相等。
上电后，电感电流不能突变，故电阻 RCS上的电流为零，于是差值?v 亦为零；此差值输入到
芯片内部，与基准电压（240mV）比较后，使得功率开关管开启。于是 VIN通过电阻 RCS，电
感 L，负载 LED 以及功率开关管到地形成通路，电感 L 储存能量，其电流逐渐升高。
当电感电流达到：
240 L
CS
mV I R
? (2)
此时，功率开关管关断；之后，差值?v 输入到芯片内部，与基准电压（160mV）比较后，
使得功率开关管保持关断状态。由于电感电流的持续性，电感电流便通过负载 LED 及续流二
极管 D，电阻 RCS释放能量，其电流逐渐下降。
当电感电流达到：
160 L
CS
mV I R
? (3)
此时，功率管开启；系统进入下一个周期循环。
此系统对于电感电流的控制模式称为电感电流滞环控制模式，其对负载瞬变具有非常快
的响应，对输入电压具有高的抑制比，其电感电流纹波为+/-20%。
电流取样电阻选择
系统稳定后，可假设负载 LED 上的电压稳定，于是可近似认为电感电流呈线性变化。
故由前面叙述可知，电流取样电阻 RCS上的电流与负载 LED 上电流相等，于是电阻 RCS
的取值决定了负载电流的大小。
0.24 0.16 0.2
2*
LED
CS CS I R R
? ? ? (4)
电感选择
电感值的大小决定系统工作频率。稳定时，假设负载 LED 电压为 VLED，输入电压 VIN，
电感电流纹波 0.4*ILED，则功率管导通时间：OC5266
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0.4* * LED
ON
IN LED
I L T V V
?
? (5)
功率管关断时间：
0.4* * LED
OFF
LED
I L T V
? (6)
由（5）（6）可得系统工作频率
( )*
0.4* * *
IN LED LED
SW
IN LED
V V V F V I L
? ? (7)
为***芯片可靠稳定工作，建议其工作频率低于系统工作频率 1MHz。
辉度控制
DIM 引脚是辉度控制输入端。DIM 接低电平则 DRV 输出低电平，DIM 接高电平则 DRV
按照一定的占空比正常输出开关信号。为***辉度控制的线性一致性，建议其辉度控制频
率低于 20KHz。如果不需要辉度控制功能则将 DIM 端悬空。
MOS 管选择
首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过输出电压的 1.5 倍以上。其
次，根据驱动LED电流的大小以及电感峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的
IDS电流应是电感峰值电流的 2 倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON
越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。
另外，高压应用时应注意选择阈值电压在 2.5V以内的MOS管。芯片的工作电源电压决定
了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为 5V，所以应***MOS管在VGS电压等于 5V时导通
内阻足够低。
续流二极管选择
续流二极管 D 的耐压值应高过输入工作电压。选择正向导通压降小的肖特基二极管
有助于提高转换效率。
输入电容
电源输入端 VIN需接 47uF 至 100uF 的滤波电容, 电容的耐压值应高于输入电压。
过温保护
当芯片温度过高时，典型情况下当芯片内部温度超过 150 度以上时，过温调节开始起作用：
随温度升高输入电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系统可靠性。OC5266
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