OC6781(5-100V) DC-DCPWM 升压恒流芯片IC

OC6781

PWM 升压型 LED 恒流驱动器

深圳欧创芯半导体有限公司

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OC6781_V1.0

典型应用电路图

VDD

EN

ROSC

GND

OVP

VCS

DRV

RCSR1

R2

Rosc

VFB

Rfb

概述

OC6781是一款、的升

压型LED恒流驱动控制芯片。

OC6781内置误差放大器，振

荡器，恒流驱动电路等，特别适合大功率、

多个高亮度LED灯串恒流驱动。

OC6781采用固定频率的PWM控制

方式，工作频率可通过外部电阻进行设置。

OC6781内置频率补偿，无需外部补

偿，应用设计简单并减少外围元件。

OC6781内部集成了软启动、输出过

压保护、逐周期限流保护以及过温保护电

路，减少外围元件并提高系统可靠性。

OC6781采用SOP8封装。

特点

宽输入电压范围：5V~36V

：可高达96%

工作频率：450KHz

VCS限流保护电压：250mV

VFB电流采样电压：250mV

内置输出开路保护

工作频率可调

智能过温保护

软启动

应用

LED灯杯

电池供电的LED灯串

平板显示LED背光

大功率LED照明OC6781

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封装及管脚分配

DRV VCS

EN

ROSC OVP

VFB

GND

SOP8

VDD

管脚定义

管脚号 管脚名 描述

1 DRV驱动端，接外部MOS管栅极

2 VDD芯片电源

3 EN芯片使能，高电平有效；

4 ROSC开关频率设置脚

5 OVP输出过压保护检测脚

6 VFB输出电流反馈脚

7 GND接地

8 VCS电感限流检测脚OC6781

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极限参数

（注 1）

符 号 描述 参数范围 单位

VDD VDD端电压45 V

VENEN脚电压-0.3~45 V

VDRVDRV脚电压-0.3~8 V

VMAXVFB、ROSC、OVP和VCS脚

电压

-0.3~6 V

PSOP8SOP8封装功耗0.8 W

TA工作温度范围-20~85

o

C

TSTG存储温度范围-40~120

o

C

TSD焊接温度范围（时间小于30秒）240

o

C

VESD静电耐压值（人体模型）2000 V

注1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器

件的可靠性。

内部电路方框图OC6781

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电特性(除非特别说明，VDD=12V，TA=25

o

C)

参数 符号 测试条件 小值 典型值 值 单位

电源电压

VDD工作电压VDD5 40 V

欠压保护电压VDD_UVLOVDD上升4.8 V

电源电流

工作电流IOPFOP=200KHz 2.5 mA

待机输入电流IINQ无负载，EN为低电平75 uA

功率管电流采样

过流保护阈值VCS_TH240 250 260 mV

输出电流采样

FB脚电压VFB240 250 260 mV

工作频率

工作频率FS ROSC=330K 120 KHz

EN使能端输入

EN端输入高电平ENH 3.2 V

EN端输入低电平ENL 0.8 V

DRV驱动

DRV上升时间TRISEDRV脚接500pF电容50 ns

DRV下降时间TFALLDRV脚接500pF电容50 ns

过温保护

过温保护阈值OTP_TH 140

o

C

占空比

占空比DMAXVFB=0V 87 %OC6781

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应用指南

概述

OC6781是一款升压型大功率LED恒流驱动控制IC，采用固定频率的PWM控制模式。

芯片内部由误差放大器、PWM比较器、电感峰值电流限流、振荡器、PWM逻辑、功率

管驱动、基准等电路单元组成。

芯片通过VFB管脚来采样LED输出电流。系统处于稳态时VFB管脚电压VFB恒定在约

250mV。当VFB电压低于250mV时，误差放大器的输出电压升高，从而使得在功率管导通期

间电感的峰值电流增大，因此增大了输入功率，VFB电压将会升高。反之，当VFB电压高过

250mV时，误差放大器的输出电压会逐渐降低，从而使得在功率管导通期间电感的峰值电流

减小，因此减小了输入功率，VFB电压随之降低。

芯片通过VCS管脚采样电感电流，用来限制输入电流，实现过流保护功能。

系统工作频率可通过连接到ROSC管脚的电阻ROSC来设置。ROSC悬空时，系统的工作频

率为500KHz。

OC6781内部集成了软启动、逐周期限流保护、输出过压保护以及过温保护电路。

LED电流设置

LED输出电流由连接到VFB管脚的反馈电阻RFB设定：

0.25LED

FB

I

R=

开关频率Fs设置

开关频率可由连接到ROSC引脚端的电阻ROSC设定：

7

5

4.83*10

1.08*10

Fs

ROSC=

+

其中ROSC单位为欧姆。如果ROSC引脚直接接地即ROSC=0，OC6781内部将开关频率设定为

约450KHz。对于大多数应用，建议ROSC取值100~330KHz或更大。

输出过压保护

输出过压保护值由连接于OVP引脚的分压电阻R1，R2设置：

2 1*

1

OVPR R V VREF

R

+ =

其中VREF=1V。

电感取值

流过电感的纹波电流大小与电感取值有关。工作于连续模式时电感纹波电流由下式确定：OC6781

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( )*

* *

OUT IN IN

L

OUT

V VV I

V L Fs

Δ =

增大电感值纹波电流会减小，反之亦然。

连续模式下电感的峰值电流由下式确定：

1

2

OUT LED

pk L

IN

V I I I

Vη

= + Δ

在电感选择时，应流过电感的峰值电流不引起电感的磁饱和。通常要求电感的饱和

电流大于电感峰值电流的1.5倍以上。同时应选择低ESR的功率电感，在大电流条件下电感

自身的ESR会影响系统的转换效率。典型电感取值在22-100UH。工作频率设置越低则

电感取值也越大。

RCS设置

需合理设置RCS电阻阻值，以防止在正常负载下因为输入限流而限制输出功率。

0.2

* ( )*

* 2* *

CS

OUT LED OUT IN IN

IN OUT

R V I V VV

ηV L Fs V

≤ +

0.1/0.22

其中η表示转换效率，典型地可取90%。应在输入电压下计算得到RCS值。

系统的峰值电流IPK由电阻RCS限定：

0.25PK

CS

I

R≤

MOS管选择

首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过输出电压的1.5倍以上。其

次，根据驱动LED电流的大小以及电感峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的

IDS电流应是电感峰值电流的2倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON

越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。另外也要考虑MOS管的节电容，

节电容越大则开关损耗越大。

过温保护

当芯片温度过高时，系统会限制输入电流峰值，典型情况下当芯片内部温度超过140度以

上时，过温调节开始起作用：随温度升高输入峰值电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系

统可靠性。OC6781

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