类型轴流风扇 | 品牌SANYO/三洋 |
型号109-642 | 加工定制否 |
电机功率37.5w | 电压200V |
电流0.23A | 适用范围散热风扇 |
风量/ | 风叶直径/ |
转速/r/min |
类型轴流风扇 | 品牌SANYO/三洋 |
型号109-642 | 加工定制否 |
电机功率37.5w | 电压200V |
电流0.23A | 适用范围散热风扇 |
风量/ | 风叶直径/ |
转速/r/min |
品牌:日本三洋 SANYO
尺寸:160*160*50mm
电压:200V
功率:37.5W/33W
电流:0.23A/0.18A
掺杂对结构的影响
掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅,则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特,远小于硅本身的能隙1.12电子伏特,所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化(ionize)。
掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说,一个p-n接面(p-n junction)的能带会弯折,起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同,但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度,造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。
上述的效应可以用能带图(band diagram)来解释,。在能带图里横轴代表位置,纵轴则是能量。图中也有费米能阶,半导体的本质费米能阶(intrinsic Fermi level)通常以Ei来表示。在解释半导体元件的行为时,能带图是非常有用的工具。
半导体材料的制造
为了满足量产上的需求,半导体的电性必须是可预测并且稳定的,因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的错位(dislocation)、双晶面(twins),或是堆栈错误(stacking fault)都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体元件而言,材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。
目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程(Czochralski process)。这种制程将一个单晶的晶种(seed)放入溶解的同材质液体中,再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时,溶质将会沿着固体和液体的接口固化,而旋转则可让溶质的温度均匀。
历史
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前,
1833年,英国科学家电子学之父法拉第发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的***发现。
不久,1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏***应,这是被发现的半导体的***个特征。
1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个***的性质。半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯***使用。而总结出半导体的这四个特性
贝尔实验室(1张)
一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
在1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所***的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
企业类型 | 有限责任公司(自然人独资) | 统一社会信用代码 | 91440300MA5DE06D9R |
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成立日期 | 2016-06-03 | 法定代表人/负责人 | 钟宁 |
注册资本 | 100万(元) | 注册地址 | 深圳市龙华区观湖街道观城社区田寮新村98号102 |
营业期限 | 2016-06-03 至 5000-01-01 | 登记机关 | 龙华局 |
经营范围 | 一般经营项目是:散热风扇、风扇的销售;风扇金属网罩、风扇配件、电子产品、电子数据线、电子零配件、电脑周边配件的销售。(法律、行政法规禁止的项目除外;法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是: |