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Hunteck 恒泰柯 HGN170A10AL-DFN5*6 mos管
- 类型
- 其他电源模块
- 品牌
- Hunteck恒泰柯
- 型号
- HGN170A10AL
- 批号
- 新年份
- 封装
- DFN5*6
- 数量
- 10000
主营产品: 电子元器件 单片机MCU MOS DC-DC -
东沅(Fetek)FKBB3115 P沟道mos管 耐压30V 场效应管
- 产品特性
- MOS管
- 品牌
- 东沅
- 型号
- FKBB3115
- 封装
- PRPAK3x3-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 参考规格书
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
SGT mosFET BMS 光伏逆变器 储能户外电源芯片供应商
- 产品特性
- SGT MOSFET
- 品牌
- 捷瑞德
- 型号
- JRP03N10-P
- 封装
- TO-220 TO-263-7 TO-247
- 批号
- 2325
- FET类型
- N
主营产品: 射频芯片蓝牙模块 主控MCU 温湿度传感器 MOS管IGBT -
SUD50P06-15 mos管P沟道场效应管-60V/-50A TO252 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- SUD50P06-15
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
STD36NH02LT4-VB mos管 TO252 场效应管丝印微碧半导体
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- STD36NH02LT4
- 封装
- TO252
- 批号
- 22+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
供应深圳CS2N65华晶高压mos场效应管
- 产品特性
- 优势
- 品牌
- 华晶
- 型号
- CS2N65D
- 类型
- 驱动IC
- 驱动芯片类型
- 高压线性
- 针脚数
- 8
主营产品: 电源IC/场效应 LED驱动IC 高压线性恒流IC 调光IC -
骊创mos场效应管 200V-18A N沟道 IRF640 IRF640N TO-220
- 产品特性
- 安全
- 产品类型
- 骊创
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 200V-18A N沟道 IRF640 IRF640N TO-220
- 封装
- 标准
- 批号
- 全新
主营产品: 电子元器件 低压电器设备 机电产品 连接器 -
N沟道场效应管IRFP260N IRF9540骊创现货mos
- 产品特性
- 电压控制器
- 品牌
- 骊创
- 型号
- IRFP260N
- 封装
- DIP6
- 批号
- IRFP260N
- FET类型
- CS14A
主营产品: 连接器 开关 电容器 二三极管 -
东沅(Fetek)FKBB4052,Nmos,耐压40V,场效应管
- 产品特性
- MOS管
- 品牌
- 东沅
- 型号
- FKBB4052
- 封装
- PRPAK3x3-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 参考规格书
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
P0603BVG-VB mos管 N沟道 场效应管 30V/13A SOP8 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- P0603BVG
- 封装
- SOP8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
mos管APM4812KC-TRL-VB封装SOP8微碧半导体场效应管
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- APM4812KC-TRL-VB
- 封装
- SOP8
- 批号
- 24+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
APM4820KC-TRL-VB场效应管大功率mos管SOP8封装微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- APM4820KC-TRL-VB
- 封装
- SOP8
- 批号
- 24+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
VBMB1208N mos管 N沟道 场效应管 200V/20A TO220F 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- VBMB1208N
- 封装
- TO220F
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
VBFB1311 mos管 N沟道 场效应管 30V/53A TO251 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- VBFB1311
- 封装
- TO251
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
FQD10N20L-VB TO-252贴片场效应管mos管微碧半导体 电子元器件
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- FQD10N20L
- 封装
- TO-252
- 批号
- 23+
- FET类型
- MOS管
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
UD3002-VB TO252封装 场效应管 mos管 微碧半导体
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- UD3002
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
APM4910KC-TRL-VB SOP8封装场效应管mos管 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- APM4910KC-TRL
- 封装
- SOP8
- 批号
- 22+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
APM4906KC-TRL-VB SOP8封装mos管场效应管 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- APM4906KC-TRL
- 封装
- SOP8
- 批号
- 22+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
微碧半导体TM6912FS-VB SOP-8封装场效应管电子元器件mos管芯片
- 应用范围
- 功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- TM6912FS-VB
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 工作温度
- -55+150
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
芯片MMDF3304-VB SOP8封装30V8.5A场效应管mos管微碧半导体
- 应用范围
- 功率
- 品牌
- VBsemi/微碧
- 型号
- MMDF3304
- 类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8.5A
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
STU1030PL-VB 封装TO252 场效应管 mos管 微碧半导体
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- STU1030PL
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
8205A FM富满20V N沟道增强型mos场效应管 TSSOP-8封装
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- FM/富满
- 型号
- 8205A
- 封装
- TSSOP-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- N沟道MOS管
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
新洁能NCE0102E场效应管P沟道 100V 2A 沟槽型Trench mos
- 产品特性
- MOS
- 品牌
- 新洁能
- 型号
- NCE0102E
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 2024+
- 漏极电流(Id)
- 1uA
主营产品: 射频芯片蓝牙模块 主控MCU 温湿度传感器 MOS管IGBT -
FDD4243-VB TO-252 mos管场效应管 微碧半导体 电子元器件
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- FDD4243
- 封装
- TO-252
- 批号
- 23+
- FET类型
- MOS管
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
AP2302GN-HF-VB SOT23-3封装mos管场效应管微碧半导体 电子元器件
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- AP2302GN-HF-VB
- 封装
- SOT23-3
- 批号
- 24+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS
共 25 条场效应管mos管记录
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