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骊创供应3D01F N沟耗尽型场效应管
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 3D01F
- 封装
- F22
- 批号
- 5522
- 晶体管极性
- 双极
- 集射极击穿电压(VCEO)
- 380
主营产品: 连接器 开关 电容器 二三极管 -
TBB1008HMTL/高频/双N沟道耗尽型场效应管MOSFET
- 品牌
- RENESAS/瑞萨
- 型号
- TBB1008HMTL
- 类型
- 其他IC
- 封装
- 详询
- 功率
- 详询
主营产品: 霍尔元件 霍尔传感器 霍尔开关 集成电路IC -
代理Polyc ARK品牌耗尽型MOS DN906 DMZ6005E
- 产品特性
- 场效应管
- 品牌
- Polyc
- 型号
- DN906
- 封装
- SOT23
- 批号
- 22+
- 应用领域
- 智能家居,家用电器,照明电子
主营产品: 电子元器件 场效应管 二三极管 光耦 -
中山P沟耗尽型场效应管供应 深圳市盟科电子科技供应
主营产品: MOSFETs 场效应管 开关二极管 三极管 三端稳压管 LDO 集成电路IC 整流器 -
JK9612;JK9612场效应管分选测试仪
- 加工定制
- 否
- 品牌
- 金艾联
- 型号
- JK9612
- 测量范围
- 详见资料
- 测量精度
- 详见资料
- 产品用途
- 详见资料
主营产品: 超声波探伤仪 数字示波器 超声波测厚仪 电子测量仪器 -
IRF640NPBF 英飞凌Infineon 场效应管 TO-220(TO-220-3)
- 产品特性
- 1
- 品牌
- TI
- 型号
- IRF640NPBF
- 传感器类型
- IRF640NPBF
- 功能类型
- IRF640NPBF
- 感应范围
- IRF640NPBF
主营产品: PNI地磁传感器 倾角传感器 电子罗盘 霍尔传感器 -
供应UTC 2N7000/2N7002 台湾友顺场效应管 深圳科瑞芯电子
- 产品特性
- 低电流
- 品牌
- UTC
- 型号
- 2N7002
- 种类
- 绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型
- N沟道
- 导电方式
- 增强型
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
供应深圳CS2N65华晶高压MOS场效应管
- 产品特性
- 优势
- 品牌
- 华晶
- 型号
- CS2N65D
- 类型
- 驱动IC
- 驱动芯片类型
- 高压线性
- 针脚数
- 8
主营产品: 电源IC/场效应 LED驱动IC 高压线性恒流IC 调光IC -
骊创数码管CL515 可控硅3CT103C 场效应管IRF640N MTP5N40
- 产品特性
- 安全
- 产品类型
- 骊创
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 数码管CL515 可控硅3CT103C 场效应管IRF640N MTP5N40
- 封装
- 标准
- 批号
- 全新
主营产品: 电子元器件 低压电器设备 机电产品 连接器 -
WERMA支架基地山, 黑色960.000.01 其他场效应管
- 品牌
- WERMA
- 型号
- 黑色960
- 种类
- 结型(JFET)
- 沟道类型
- N沟道
- 导电方式
- 耗尽型
- 用途
- AM/调幅
主营产品: 继电器 放大器 传感器 电机 -
FMD辉芒微FT62F085E-TRB 电子元器件 封装TSSOP20 批次22+
- 类型
- 其他模块
- 品牌
- FMD辉芒微
- 型号
- FT62F085E-TRB
- 批号
- 22+
- 封装
- TSSOP20
- 数量
- 50000
主营产品: 电子元器件 单片机MCU MOS DC-DC -
SGT MOSFET BMS 光伏逆变器 储能户外电源芯片供应商
- 产品特性
- SGT MOSFET
- 品牌
- 捷瑞德
- 型号
- JRP03N10-P
- 封装
- TO-220 TO-263-7 TO-247
- 批号
- 2325
- FET类型
- N
主营产品: 射频芯片蓝牙模块 主控MCU 温湿度传感器 MOS管IGBT -
STD36NH02LT4-VB mos管 TO252 场效应管丝印微碧半导体
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- STD36NH02LT4
- 封装
- TO252
- 批号
- 22+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
SUD50P06-15 MOS管P沟道场效应管-60V/-50A TO252 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- SUD50P06-15
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
原装ON P沟道场效应管耗尽型MMBFJ177LT1G SOT23
- 品牌
- ON
- 型号
- MMBFJ177LT1G
- 种类
- 结型(JFET)
- 沟道类型
- N沟道
- 导电方式
- 增强型
- 用途
- DC/直流
主营产品: 霍尔元件 霍尔传感器 霍尔开关 集成电路IC -
南京N沟耗尽型场效应管生产商 深圳市盟科电子科技供应
主营产品: MOSFETs 场效应管 开关二极管 三极管 三端稳压管 LDO 集成电路IC 整流器 -
N沟结型场效应管3DJ5HB 3DJ6E 骊创供应
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 3DJ5HB
- 封装
- F22
- 批号
- 5522
- 晶体管极性
- 双极
- 集射极击穿电压(VCEO)
- 380
主营产品: 连接器 开关 电容器 二三极管 -
N沟结型场效应管3DJ7H 3DJ7I 骊创供应
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 3DJ7I
- 封装
- F22
- 批号
- 5522
- 晶体管极性
- 双极
- 集射极击穿电压(VCEO)
- 380
主营产品: 连接器 开关 电容器 二三极管 -
ZVN4525E6TA Diodes 美台 场效应管 传感器商城
- 产品特性
- Diodes
- 品牌
- Diodes
- 型号
- ZVN4525E6TA
- 传感器类型
- 磁传感器
- 功能类型
- 2
- 感应范围
- 2
主营产品: PNI地磁传感器 倾角传感器 电子罗盘 霍尔传感器 -
骊创mos场效应管 200V-18A N沟道 IRF640 IRF640N TO-220
- 产品特性
- 安全
- 产品类型
- 骊创
- 品牌
- 骊创
- 型号
- 200V-18A N沟道 IRF640 IRF640N TO-220
- 封装
- 标准
- 批号
- 全新
主营产品: 电子元器件 低压电器设备 机电产品 连接器 -
骊创场效应管IRFP260N IRF9540 IRFP32N50K
- 产品特性
- 安全
- 产品类型
- 骊创
- 品牌
- 骊创
- 型号
- IRFP260N IRF9540 IRFP32N50K
- 封装
- 标准
- 批号
- 全新
主营产品: 电子元器件 低压电器设备 机电产品 连接器 -
维安WMK053NV8HGS MOSFET或IGBT的开关功能IC DC新年份
- 类型
- 其他电源模块
- 品牌
- 维安
- 型号
- WMK053NV8HGS
- 批号
- 新年份
- 数量
- 10000
- 货源
- 原厂
主营产品: 电子元器件 单片机MCU MOS DC-DC -
Hunteck 恒泰柯 HGN170A10AL-DFN5*6 MOS管
- 类型
- 其他电源模块
- 品牌
- Hunteck恒泰柯
- 型号
- HGN170A10AL
- 批号
- 新年份
- 封装
- DFN5*6
- 数量
- 10000
主营产品: 电子元器件 单片机MCU MOS DC-DC -
东沅(Fetek)FKBB3115 P沟道MOS管 耐压30V 场效应管
- 产品特性
- MOS管
- 品牌
- 东沅
- 型号
- FKBB3115
- 封装
- PRPAK3x3-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 参考规格书
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
东沅(Fetek)FKBB4052,NMOS,耐压40V,场效应管
- 产品特性
- MOS管
- 品牌
- 东沅
- 型号
- FKBB4052
- 封装
- PRPAK3x3-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 参考规格书
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
8205A FM富满20V N沟道增强型MOS场效应管 TSSOP-8封装
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- FM/富满
- 型号
- 8205A
- 封装
- TSSOP-8
- 批号
- 23+
- FET类型
- N沟道MOS管
主营产品: 升降压芯片 PD协议芯片 电源管理 超薄桥堆-二极管 -
新洁能NCE0102E场效应管P沟道 100V 2A 沟槽型Trench MOS
- 产品特性
- MOS
- 品牌
- 新洁能
- 型号
- NCE0102E
- 封装
- SOT-23
- 批号
- 2024+
- 漏极电流(Id)
- 1uA
主营产品: 射频芯片蓝牙模块 主控MCU 温湿度传感器 MOS管IGBT -
APM4910KC-TRL-VB SOP8封装场效应管MOS管 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- APM4910KC-TRL
- 封装
- SOP8
- 批号
- 22+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
APM4906KC-TRL-VB SOP8封装MOS管场效应管 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- APM4906KC-TRL
- 封装
- SOP8
- 批号
- 22+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
UD3002-VB TO252封装 场效应管 mos管 微碧半导体
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- UD3002
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
P0603BVG-VB MOS管 N沟道 场效应管 30V/13A SOP8 微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- P0603BVG
- 封装
- SOP8
- 批号
- 23+
- FET类型
- 增强型
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
微碧半导体TM6912FS-VB SOP-8封装场效应管电子元器件MOS管芯片
- 应用范围
- 功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- TM6912FS-VB
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 工作温度
- -55+150
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
芯片MMDF3304-VB SOP8封装30V8.5A场效应管MOS管微碧半导体
- 应用范围
- 功率
- 品牌
- VBsemi/微碧
- 型号
- MMDF3304
- 类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8.5A
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
ME30N03-VB 封装TO252 场效应管 mos管 微碧半导体 电子元器件
- 产品特性
- mos
- 品牌
- 微碧VBsemi
- 型号
- ME30N03
- 封装
- TO252
- 批号
- 23+
- FET类型
- N
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
FDD4243-VB TO-252 MOS管场效应管 微碧半导体 电子元器件
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- FDD4243
- 封装
- TO-252
- 批号
- 23+
- FET类型
- MOS管
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
APM4820KC-TRL-VB场效应管大功率MOS管SOP8封装微碧半导体
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi/微碧半导体
- 型号
- APM4820KC-TRL-VB
- 封装
- SOP8
- 批号
- 24+
- FET类型
- MOS
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS -
FQD10N20L-VB TO-252贴片场效应管MOS管微碧半导体 电子元器件
- 产品特性
- 大功率
- 品牌
- VBsemi(微碧)
- 型号
- FQD10N20L
- 封装
- TO-252
- 批号
- 23+
- FET类型
- MOS管
主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS
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